The LiNbO3 thin film (LNOI) material on the insulating layer not only inherits the excellent photoelectric properties of the bulk material LiNbO3, but also provides a new scheme for the LiNbO3 modulator chip with integration, small size and high modulation efficiency. A thin-film LiNbO3 electro-optic modulator with broadband and low half-wave voltage is developed based on LNOI material, as shown in Figure 1. 

The LiNbO3 thin film (LNOI) material on the insulating layer not only inherits the excellent photoelectric properties of the bulk material LiNbO3, but also provides a new scheme for the LiNbO3 modulator chip with integration, small size and high modulation efficiency. As shown in Figure 1. The MZM electro-optic modulator based on LiNbO3 thin film material has the characteristics of small size, low driving voltage, high bandwidth and low insertion loss. 

The LiNbO3 thin film (LNOI) material on the insulating layer not only inherits the excellent photoelectric properties of the bulk material LiNbO3, but also provides a new scheme for the LiNbO3 modulator chip with integration, small size and high modulation efficiency. Based on LNOI material,Our Research Institute has developed a thin film LiNbO3 electro-optic modulator with broadband and low half-wave voltage, as shown in Figure 1.

The LiNbO3 thin film (LNOI) material on the insulating layer not only inherits the excellent photoelectric properties of the bulk material LiNbO3, but also provides a new scheme for the LiNbO3 modulator chip with integration, small size and high modulation efficiency. A thin-film LiNbO3 electro-optic modulator with broadband and low half-wave voltage is developed based on LNOI material, as shown in Figure 1.